CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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代替部品
Price @ 1000
$ 11.43
$ 16.2
Stock
188,017
69,373
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247-3
Collector Emitter Breakdown Voltage
1.2 kV
1.2 kV
Max Collector Current
57 A
57 A
Power Dissipation
200 W
200 W
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7 V
1.75 V
Reverse Recovery Time
-
-
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1997-12-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-11-04
LTD Date2013-05-04
関連部品
InfineonAUIRG4PH50S
1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete Automotive IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
InfineonIRG4PH50UPBF
Transistor; IGBT; TO-247AC; 45 A (Max.); 1200 V (Min.); 200 W (Max.); -55 degC
説明
Infineon IRG4PH50SPBFの詳細は販売業者から提供されます。
IRG4PH50S Series 1200 V 57 A N-Channel Standard Speed IGBT - TO-247AC
1200V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
IGBT Transistors; INFINEON; IRG4PH50SPBF; 1.2 kV; Single; 57 A; TO-247
STANDARD SPEED INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Insulated Gate Bipolar Transistor, 57A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC
IGBT Housing type: TO-247AC Collector-emitter breakdown voltage: 1200 V Collector-emitter saturation voltage: 1.7 V Current release time: 1000 ns Power dissipation: 200 W
IGBT, 1200V, 57A, TO-247AC; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:57A; Collector Emitter Voltage Vces:1.47V; Power Dissipation Pd:200W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Ic Continuous a Max:57A; Current Temperature:25°C; Device Marking:IRG4PH50S; Fall Time Max:638ns; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Max:200W; Power Dissipation Pd:200W; Power Dissipation Pd:200W; Pulsed Current Icm:114A; Rise Time:29ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:1.2kV
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage1.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Continuous Collector Current57 A
Continuous Drain Current (ID)57 A
Current Rating57 A
Element ConfigurationSingle
Fall Time638 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.6 nF
Max Collector Current57 A
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rise Time29 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Turn-Off Delay Time845 ns
Turn-On Delay Time32 ns
Voltage Rating (DC)1.2 kV
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.875 mm
Width5.3 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント