関連部品
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
InfineonIRG4BC30FD-SPBF
Copacked 600V IGBT in a D2-Pak package with a hyperfast 1-8 kHz diode, D2PAKCOPAK, RoHS
説明
Infineon IRG4BC30KDSTRRPの詳細は販売業者から提供されます。
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRG4BC30KD-S Series 600 V 28 A SMT Insulated Gate Bipolar Transistor - D2PAK-3
SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)2.7 V
Element ConfigurationSingle
Max Collector Current28 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 W
Min Operating Temperature-55 °C
Reverse Recovery Time42 ns
Schedule B8541290080