Infineon IRG4BC30FD-SPBF

Name: Infineon IRG4BC30FD-SPBF
Brand: Infineon
SKU: IRG4BC30FD-SPBF

Copacked 600V IGBT in a D2-Pak package with a hyperfast 1-8 kHz diode, D2PAKCOPAK, RoHS

$ 6.32

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRG4BC30FD-SPBF	0	1K	Bulk				6.320	5.690	13h
Farnell		IRG4BC30FD-SPBF	0	1		1.534*	1.534*	1.534*	1.534*	1.534*	7h
Microchip USA		IRG4BC30FD-S	154	600	Tube				1.591	1.591	14h
Win Source	2	WS-IRG4BC30FD-S	24,000	45				1.306	0.871	0.871	22h
Worldway Electronics	2	IRG4BC30FD-S	18,391	7	Tube		0.668	0.648	0.614	0.614	21h

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Datasheet11ページ16年前

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-12-02

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2020-06-30

LTD Date2020-12-31

説明

Infineon IRG4BC30FD-SPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Copacked 600V IGBT in a D2-Pak package with a hyperfast 1-8 kHz diode, D2PAKCOPAK, RoHS

Infineon SCT

Trans IGBT Chip N-CH 600V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK

Avnet

Target Applications: Air Conditioner; Dryer; Pump; Solar; UPS; Washing Machine

Infineon

IGBT, D2-PAK; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:31A; Collector Emitter Voltage Vces:1.8V; Power Dissipation Pd:100W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012); Current Ic Continuous a Max:17A; Fall Time Max:230ns; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Max:100W; Power Dissipation Pd:100W; Power Dissipation Pd:100W; Pulsed Current Icm:120A; Rise Time:27ns; Termination Type:SMD; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V

element14 APAC