CADモデル
製造元 Infineon IRFZ44ZLPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2003-10-08
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2023-12-31
LTD Date2024-06-30
関連部品
InfineonIRFZ44NLPBF
MOSFET N-CH 55V 49A TO262 "N-Channel 55 V 49A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Through Hole TO-262"
InfineonIRF5305LPBF
MOSFET P-CH 55V 31A TO262 "P-Channel 55 V 31A (Tc) 3.8W (Ta), 110W (Tc) Through Hole TO-262"
説明
Infineon IRFZ44ZLPBFの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 55 V 13.9 mOhm 29 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3
MOSFET N-CH 55V 51A TO262 N-Channel 55 V 51A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-262
Infineon NChannel EnhancedMOSTube HEXFETseries, Vds=55 V, 51 A, I2PAK (TO-262)encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:51A; On Resistance, Rds(on):13.9mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-262 ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-262
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)51 A
Current Rating51 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance13.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.42 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation80 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13.9 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation80 W
Rds On Max13.9 mΩ
Resistance13.9 MΩ
Rise Time68 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height15.01 mm
Length10.6426 mm
Width4.826 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント