Infineon IRFS7537PBF

Name: Infineon IRFS7537PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFS7537PBF

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

$ 1.01

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRFS7537PBF	57					1.220	1.010	0.903	1h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFS7537PBF	0	800	Bulk				5.830	5.830	18h
Farnell	IRFS7537PBF	0	1		2.955*	2.206*	1.784*	1.222*	1.222*	1d
Win Source	WS-IRFS7537PBF	30,200	65				0.830	0.643	0.643	2h
Worldway Electronics	IRFS7537PBF	18,840	7	Tube		0.223	0.216	0.205	0.205	1h

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IHS

Datasheet13ページ11年前

Newark

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部品

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InfineonIRFS7537PBF

InfineonIRFS7537TRLPBF

Price @ 1000

$ 1.01

$ 0.735

Stock

258,824

361,974

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

173 A

Threshold Voltage

3.7 V

Rds On Max

3.3 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

230 W

Input Capacitance

7.02 nF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-09-17

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2018-12-15

LTD Date2019-06-15

説明

Infineon IRFS7537PBFの詳細は販売業者から提供されます。

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 60 V 3.3 mOhm 142 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 60V 173A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 173A I(D), 60V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness; Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA; Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

Infineon

MOSFET, N CH, 60V, 173A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 173A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.00275ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.7V

Farnell