CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 1.446
$ 4.43
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Stock
466,897
769,868
769,868
Authorized Distributors
6
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
150 V
150 V
150 V
Continuous Drain Current (ID)
75 A
75 A
75 A
Threshold Voltage
5 V
5 V
5 V
Rds On Max
15 mΩ
15 mΩ
15 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
30 V
Power Dissipation
330 W
330 W
330 W
Input Capacitance
4.46 nF
4.46 nF
4.46 nF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
説明
Infineon IRFS4321TRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。
Single N-Channel 150 V 360 W 71 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK
150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 150V 83A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 150V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:85A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:5V; Power Dissipation:350W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFS4321TRLPBF.
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance15 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance4.46 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs5 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance15 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation330 W
Rds On Max15 mΩ
Resistance15 MΩ
Rise Time60 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage5 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント