Infineon IRFS4310ZTRLPBF

Name: Infineon IRFS4310ZTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFS4310ZTRLPBF

Single N-Channel 100V 6 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

$ 1.026

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IRFS4310ZTRLPBF	10,400	800					0.858	0.801	2d
Newark	3	IRFS4310ZTRLPBF	299	1	Cut Tape	3.280	2.270	1.880	1.880	1.880
Arrow Electronics		IRFS4310ZTRLPBF	14,704	1		1.282	1.282	1.282	1.282	1.282
Rochester Electronics	2	IRFS4310ZTRLPBF	95,801					1.180	0.979	0.873	23h
DigiKey	3	IRFS4310ZTRLPBFCT-ND	9,654	1	Cut Tape	3.090	2.004	1.382	1.382	1.382

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iiiC

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部品

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InfineonIRFS4310ZTRLPBF

InfineonAUIRFS4310ZTRL

Price @ 1000

$ 1.026

$ 2.67

Stock

692,842

558,578

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

120 A

Threshold Voltage

Rds On Max

6 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

250 W

Input Capacitance

6.86 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Taiwan, UK

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2012-04-24

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRFS4310ZTRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 100V 6 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 100 V, 120 A, 0.006 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Avnet

100V Single N-Channel IR MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 100V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:250W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFS4310ZTRLPBF.

Newark