Infineon IRFS3006PBF

Name: Infineon IRFS3006PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFS3006PBF

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

$ 5.19

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFS3006PBF	0	200	Bulk				5.190	5.190	18h
Farnell	IRFS3006PBF	0	1		1.811*	1.811*	1.811*	1.811*	1.811*	1d
Win Source	WS-IRFS3006PBF	100	50				1.008	0.672	0.672	2h
Worldway Electronics	IRFS3006PBF	19,098	7	Tube		1.374	1.332	1.262	1.262	1h
Lixinc	IRFS3006PBF	18,373			1.760	1.581	1.581	1.581	1.581	1d

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IHS

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部品

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InfineonIRFS3006PBF

InfineonIRFS3006TRLPBF

Price @ 1000

$ 5.19

$ 1.76

Stock

65,598

1,173,699

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

60 V

Continuous Drain Current (ID)

195 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

2.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

375 W

Input Capacitance

8.97 nF

サプライチェーン

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRFS3006PBFの詳細は販売業者から提供されます。

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 60 V 2.6 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: D2PAK Polarity: N Power dissipation: 375 W

Distrelec

Trans MOSFET N-CH 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0025ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET, N-CH, 60V, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:270A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:375W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:D2-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:8970pF; Current Id Max:270A; Package / Case:D2-PAK; Power Dissipation Pd:375W; Power Dissipation Pd:375W; Pulse Current Idm:1080A; Reverse Recovery Time trr Typ:44ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Voltage Vgs th Min:2V

element14 APAC