CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 4.28
$ 1.95
Stock
88,535
21,623
Authorized Distributors
1
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
200 V
200 V
Continuous Drain Current (ID)
24 A
24 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
100 mΩ
100 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
30 V
Power Dissipation
3.8 W
170 W
Input Capacitance
1.96 nF
1.96 nF
サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-07-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30
関連部品
InfineonIRFS31N20DTRLP
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.082Ohm;ID 31A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V
InfineonIRFS31N20DPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.082Ohm;ID 31A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V
InfineonIRFS31N20DTRRP
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.082Ohm;ID 31A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-30V
STMicroelectronicsSTB30NF20L
MOSFET N CH 200V 30A D2PAK / N-Channel 200 V 30A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D2PAK
説明
Infineon IRFS23N20DTRLPの詳細は販売業者から提供されます。
N CH SMPS MOSFET, NEXFET, 200V, 24A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Conti
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID 24A;D2Pak;PD 170W;VGS +/-30V;-55d
Single N-Channel 200 V 0.1 Ohm 57 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 200V 24A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET, N-CH, 200V, 24A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 24A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5.5V; Po
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses; Fully Characterized Capacitance Including Effective Coss to Simplify Design
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)24 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.96 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance100 mΩ
Package Quantity800
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max100 mΩ
Rise Time32 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm