Infineon IRFR5410TRPBF

Name: Infineon IRFR5410TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR5410TRPBF

Mosfet, Power; P-ch; Vdss -100V; Rds(on) 0.205 Ohm; Id -13A; D-pak (TO-252AA); Pd 66W

$ 0.59

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRFR5410TRPBF	746,000	2K						0.408	2d
Newark	2	IRFR5410TRPBF	3,997	1	Cut Tape	1.930	1.300	0.936	0.730	0.730
Arrow Electronics	4	IRFR5410TRPBF	1,647	1		0.335	0.335	0.335	0.335	0.335
Future Electronics	3	IRFR5410TRPBF	116,000	2K	Tape & Reel					0.445
Rochester Electronics		IRFR5410TRPBF	14					0.591	0.490	0.437	21h

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Newark

DigiKey

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部品

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InfineonIRFR5410TRPBF

InfineonAUIRFR5410TRL

Price @ 1000

$ 0.59

$ 1.19

Stock

2,923,315

266,183

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

DPAK

TO-252-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

-100 V

Continuous Drain Current (ID)

13 A

Threshold Voltage

-4 V

Rds On Max

205 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

66 W

Input Capacitance

760 pF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China, USA

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2004-06-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRFR5410TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.205Ohm;ID -13A;D-Pak (TO-252AA);PD 66W

RS (Formerly Allied Electronics)

Power MOSFET, P Channel, 100 V, 13 A, 0.205 ohm, TO-252AA, Surface Mount

Avnet

Trans MOSFET P-CH Si 100V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 100V 13A DPAK

Win Source

-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 100V, 0.205ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

Semicontronic

Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:13A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:66W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRFR5410TRPBF.

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 13 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 205 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 46 / Rise Time ns = 58 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 15 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = TO-252 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 66

Distrelec