Infineon IRFR2905ZPBF

Name: Infineon IRFR2905ZPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFR2905ZPBF

IRFR2905ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 59 A, 55 V, 3-Pin DPAK

$ 0.451

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IRFR2905ZPBF	142					0.544	0.451	0.402	5h
RS (Formerly Allied Electronics)	IRFR2905ZPBF	0	975	Bulk				2.630	1.320	21h
Farnell	IRFR2905ZPBF	0	1		1.553*	1.125*	0.898*	0.583*	0.583*	1d
Win Source	WS-IRFR2905ZPBF	48,400	75				0.817	0.544	0.544	6h
Worldway Electronics	IRFR2905ZPBF	7,276	7	Tube		0.153	0.148	0.141	0.141	5h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-11-24

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2016-11-16

LTD Date2017-05-16

説明

Infineon IRFR2905ZPBFの詳細は販売業者から提供されます。

IRFR2905ZPBF N-channel MOSFET Transistor, 59 A, 55 V, 3-Pin DPAK

RS (Formerly Allied Electronics)

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package, DPAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 55V, 0.0145ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: AC-DC

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:55V; Continuous Drain Current, Id:59A; On Resistance, Rds(on):14.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DPAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N CH, 55V, 59A, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:59A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):11.1mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:110W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)

Farnell