Infineon IRFP2907PBF

Name: Infineon IRFP2907PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFP2907PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 75V; Rds(on) 4.5MILLIOHMS; Id 209A; TO-247AC; Pd 470W; -55DE

$ 2.521

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IRFP2907PBF	333	25				2.338	2.237	2.237	5h
Newark		IRFP2907PBF	732	1		6.230	4.360	3.760	3.640	3.640
Arrow Electronics		IRFP2907PBF	389	1		2.483	2.483	2.207	2.207	2.207
Future Electronics	2	IRFP2907PBF	2,075	25	Tube			2.600	2.540	2.490
Rochester Electronics		IRFP2907PBF	720					2.420	2.170	2.040	3h

在庫履歴

3か月間の傾向 : +30.11%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRFP2907PBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet9ページ14年前

Datasheet9ページ16年前

Datasheet10ページ20年前

Datasheet9ページ20年前

IHS

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

在庫履歴

3か月間の傾向:

+30.11%

CADモデル

製造元 Infineon IRFP2907PBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント		ダウンロード
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-04-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

説明

Infineon IRFP2907PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 4.5Milliohms;ID 209A;TO-247AC;PD 470W;-55de

RS (Formerly Allied Electronics)

75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS

Infineon SCT

IRFP2907PBF,MOSFET, 75V, 177A, 4.5 MOHM, 410 NC QG, TO-247AC

Jameco

Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

IHS

N CH MOSFET, 75V, 209A, TO-247AC; Transi; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:209A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:470W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Current Id Max:209A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.45°C/W; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:470W; Power Dissipation Pd:330W; Pulse Current Idm:840A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon