Infineon IRFP260NPBF

Name: Infineon IRFP260NPBF
Brand: Infineon
SKU: IRFP260NPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 200V; Rds(on) 0.04 Ohm; Id 50A; TO-247AC; Pd 300W; Vgs +/-20V

$ 1.957

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRFP260NPBF	583	1		4.155	2.113	1.546	1.546	1.546	5d
Newark		IRFP260NPBF	10,718	1		5.420	4.380	2.840	2.450	2.450
Future Electronics	2	IRFP260NPBF	28,375	25	Tube			1.990	1.940	1.900
Arrow Electronics	2	IRFP260NPBF	15,338	1		4.723	2.785	1.988	1.847	1.847
Rochester Electronics		IRFP260NPBF	3,832					1.850	1.660	1.560	16h

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IHS

Datasheet8ページ15年前

Datasheet9ページ21年前

Newark

iiiC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2000-10-09

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2015-05-22

LTD Date2015-11-22

説明

Infineon IRFP260NPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 200V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 50A;TO-247AC;PD 300W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 200V 0.04 Ohm 234 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC

Future Electronics

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS

Infineon SCT

Power MOSFET, N Channel, 200 V, 50 A, 0.04 ohm, TO-247AC, Through Hole

Avnet

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 200V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC

ComSIT Distribution GmbH

N Channel Mosfet, 200V, 50A, To-247Ac; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:200V; Continuous Drain Current Id:50A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFP260NPBF.

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

MOSFET, N, 200V, 49A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):40mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Junction to Case Thermal Resistance A:0.5°C/W; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:300W; Power Dissipation Pd:300W; Pulse Current Idm:200A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V

element14 APAC