価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFH8330TRPBF | 1,251 | 7h | |||||||||
| Win Source | WS-IRFH8330TRPBF | 7,790 | 120 | 8h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFH8330TRPBF | 17,185 | 7 | Tape & Reel | 7h | |||||||
| ICPartonline | IRFH8330TRPBF | 21,630 | >1wk | |||||||||
| UnikeyIC | IRFH8330TRPBF | 2,302 | 100 | Tape & Reel | 7h |
CADモデル
製造元 Infineon IRFH8330TRPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
関連部品
InfineonIRFH3702TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3mm X 3mm PQFN package, PQFN 3X3 8L, RoHS
InfineonIRFH8334TRPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 14A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Cont
InfineonIRFH8325TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
説明
Infineon IRFH8330TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PQFN 5X6 8L, RoHS
Infineon SCT
N-Channel 30 V 6.6 mOhm 20 nC SMT HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5X6 mm
Trans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin PQFN EP T/R
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 17A, PQFN-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.8V ;RoHS Compliant: Yes
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageQFN
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.45 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation35 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance6.6 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.3 W
Rds On Max6.6 mΩ
Rise Time15 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time10 ns
Turn-On Delay Time9.2 ns
Dimensions
Height1.17 mm