Infineon IRFF110

Name: Infineon IRFF110
Brand: Infineon
SKU: IRFF110

Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line

$ 17.31

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Future Electronics	IRFF110	0	2	Tray		18.610	18.000	18.000	18.000
Arrow Electronics	IRFF110	0	100				16.620	16.620	16.620
Farnell	IRFF110	0	1		8.539*	8.539*	6.360*	4.747*	4.747*	1d
Component Stockers USA	IRFF110	282			195.61	195.61	195.61	195.61	195.61	>1wk
Worldway Electronics	IRFF110	17,153	7			5.152	4.994	4.731	4.731	23h

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IHS

Datasheet7ページ25年前

Datasheet12ページ3年前

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部品

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InfineonIRFF110

InfineonJANTX2N6782

Price @ 1000

$ 17.31

$ 13.775

Stock

28,304

21,893

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-39

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

3.5 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

15 W

Input Capacitance

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1990-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRFF110の詳細は販売業者から提供されます。

Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line

Infineon

Single N-Channel 40 V 0.6 Ohm 6.5 nC 15 W Through Hole Hexfet Transistor -TO-39

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 100V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF

IHS

Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:3.5A; On Resistance Rds(On):0.6Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. Of Pins:3Pinsrohs Compliant: No

Newark

MOSFET, N, TO-39; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.5A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:15W; Transistor Case Style:TO-39; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:68mJ; Current Id Max:3.5A; Current Temperature:25°C; External Length / Height:18.03mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Length:14.22mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-39; Power Dissipation Pd:15W; Power Dissipation Pd:15W; Pulse Current Idm:14A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Weight:0.0024kg

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