Infineon IRFB5615PBF

Name: Infineon IRFB5615PBF
Brand: Infineon
SKU: IRFB5615PBF

150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

$ 0.617

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	IRFB5615PBF	6,025	1		0.714	0.714	0.714	0.714	0.714
Future Electronics	2	IRFB5615PBF	350	50	Tube			0.720	0.680	0.650
Rochester Electronics		IRFB5615PBF	521					0.686	0.570	0.508	23h
DigiKey		448-IRFB5615PBF-ND	1,272	1	Tube	2.080	1.327	0.895	0.650	0.513
Newark		IRFB5615PBF	0	1		1.950	1.170	0.822	0.607	0.595

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2021-04-28

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

説明

Infineon IRFB5615PBFの詳細は販売業者から提供されます。

150V Single N-Channel Digital Audio HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Single N-Channel 150 V 39 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 144 W

Distrelec

Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 150V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

MOSFET DIG AUDIO CLASS D 150V TO220AB; Transistor Polarity:N Channel; On State Resistance:39mohm; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220AB; Case Style:TO-220AB; Cont Current Id:21A; Max Voltage Vgs th:20V; Power Dissipation Pd:144W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Typ Voltage Vds:150V; Typ Voltage Vgs th:5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Farnell

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

Infineon