Infineon IRF8113TRPBF

Name: Infineon IRF8113TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF8113TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 4.7MILLIOHMS; Id 17.2A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-2

$ 0.49

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IRF8113TRPBF	55	1		0.666	0.659	0.558	0.558	0.558
Rochester Electronics		IRF8113TRPBF	1,428					0.404	0.335	0.299	4h
Newark		IRF8113TRPBF	0	1	Cut Tape	0.722	0.720	0.553	0.490	0.490
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF8113TRPBF	0	4K	Bulk					1.313	20h
Farnell	2	IRF8113TRPBF	1,269	1	Cut Tape	1.419*	0.965*	0.696*	0.498*	0.498*	3h

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RS (Formerly Allied Electronics)

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サプライチェーン

Country of OriginThailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2006-06-29

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRF8113TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 30 V 6.8 mOhm 36 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

Semicontronic

30V 17.2A 5.6m´Î@10V17.2A 2.5W 2.2V@250Ã×A N Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS

Dasenic

Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC T/R

Avnet

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance

Infineon

MOSFET IC; Transistor Polarity:N Channel; MOSFET IC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited; Package / Case:8-SOIC

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