Infineon IRF8113PBF

Name: Infineon IRF8113PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF8113PBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 4.7MILLIOHMS; Id 17.2A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-2

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF8113PBF	0	3800	Bulk					1.186	3h
Farnell	IRF8113PBF	0	1		1.252*	1.019*	0.725*	0.725*	0.725*	13h
Worldway Electronics	IRF8113PBF	18,653	7	Tube		0.258	0.253	0.243	0.243	9h
SHENGYU ELECTRONICS	IRF8113PBF	9,949	1		0.296	0.290	0.280	0.270	0.260	4d
Run Hong Electronics	IRF8113PBF	5,104			2.255	2.255	2.255	2.255	2.255	1h

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IHS

Datasheet10ページ19年前

Datasheet11ページ19年前

TME

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2003-06-23

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2016-11-16

LTD Date2017-05-16

説明

Infineon IRF8113PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2

RS (Formerly Allied Electronics)

HEXFET Power MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor

ComSIT Distribution GmbH

Trans MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-Pin SOIC

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 17.2A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:17.2A; On Resistance, Rds(on):5.6mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:8-SOIC ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, LOGIC, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17.2A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):5.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.2V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:17.2A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; No. of Transistors:1; Package / Case:SOIC; Pin Format:1 S; 2 S; 3 S; 4 G; 5 D; 6 D; 7 D; 8 D; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:135A; Row Pitch:6.3mm; SMD Marking:IRF8113PBF; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:2.2V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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