Infineon IRF7807ZTRPBF

Name: Infineon IRF7807ZTRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7807ZTRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 30V; Rds(on) 11 Milliohms; Id 11A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-20V

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF7807ZTRPBF	0	4K	Bulk					1.019	1d
Farnell	2	IRF7807ZTRPBF	0	1	Cut Tape	0.823*	0.823*	0.823*	0.823*	0.823*	16h
Microchip USA		IRF7807ZTRPBF	2,734	3K	Tray					0.760	5d
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.		IRF7807ZTRPBF	3,800	1	Tape & Reel	0.449	0.449	0.449	0.449	0.449	18h
Win Source		WS-IRF7807ZTRPBF	6,000	120					0.385	0.385	18h

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRF7807ZTRPBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

TME

Datasheet10ページ19年前

IHS

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

CADモデル

製造元 Infineon IRF7807ZTRPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント	3D	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-11-03

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-09-30

LTD Date2025-03-31

説明

Infineon IRF7807ZTRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 11A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 30 V 18.2 mOhm 11 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

HEXFET POWER MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

ComSIT Distribution GmbH

Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Low RDS(ON) at 4.5V VGS; Fully Characterized Avalanche Voltage and Current; Ultra-Low Gate Impedance

Infineon

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:11A; On Resistance, Rds(on):18.2mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:8-SO ;RoHS Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 11 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 13.8 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 3.1 / Rise Time ns = 6.2 / Turn-OFF Delay Time ns = 10 / Turn-ON Delay Time ns = 6.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.5

Distrelec