価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Verical | DMS3015SSS-13 | 2,500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMS3015SSS-13DICT-ND | 39,672 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | DMS3015SSS-13 | 0 | 2500 | 2d | ||||||||
| Farnell | DMS3015SSS-13 | 0 | 5 | Cut Tape | 21h | |||||||
| Win Source | WS-110017 | 35,900 | 200 | 21h |
CADモデル
製造元 Diodes Inc. DMS3015SSS-13 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | シンボルフットプリント | ダウンロード |
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サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-23
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
関連部品
Diodes Inc.DMG4407SSS-13
1.45W(Ta) 25V 3V@ 250¦ÌA 20.5nC@ 10 V 1P 30V 11m¦¸@ 12A,20V 9.9A 2.246nF@15V SOIC-8 1.75mm
説明
Diodes Inc. DMS3015SSS-13の詳細は販売業者から提供されます。
N-Channel 30 V 11.9 mOhm Surface Mount Schottky Diode Mosfet - SOIC-8
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0119ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet,+Sch,n Channel,30V,11A,so8; Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:11A; On Resistance Rds(On):0.0085Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes
メーカーの別名
Diodes Inc.は世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Diodes Inc. は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
技術仕様
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance11.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time13.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.276 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.55 W
Rds On Max11.9 mΩ
Rise Time27.8 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1.5 V
Turn-Off Delay Time29.7 ns
Turn-On Delay Time15.8 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント