Infineon IRF7759L2TR1PBF

Name: Infineon IRF7759L2TR1PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7759L2TR1PBF

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: DirectFET Polarity: N Power dissipation: 3.3 W

$ 5.3

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF7759L2TR1PBF	0	1K	Bulk				5.300	5.300	10h
Farnell	2	IRF7759L2TR1PBF	0	1	Cut Tape	4.454*	4.454*	3.566*	2.463*	2.463*	7h
Component Stockers USA		IRF7759L2TR1PBF	451			99.990	99.990	99.990	99.990	99.990	>1wk
Win Source		WS-IRF7759L2TR1PBF	20,650	8			6.403	4.269	4.269	4.269	21h
Worldway Electronics		IRF7759L2TR1PBF	9,909	7	Tape & Reel		5.618	5.512	5.300	5.194	1d

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IHS

Datasheet12ページ12年前

Datasheet11ページ12年前

element14 APAC

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-11-16

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2014-06-20

LTD Date2014-12-20

説明

Infineon IRF7759L2TR1PBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: DirectFET Polarity: N Power dissipation: 3.3 W

Distrelec

MOSFET N-CH 75V 26A DIRECTFET / N-Channel 75 V 26A (Ta), 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8

Win Source

A 75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L8 package rated at 26 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.

International Rectifier

MOSFET, N CH, 75V, 160A, DIRECTFET L8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):1.8mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:DirectFET; No. of Pins:5; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:160A; Power Dissipation Pd:125W; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC