Infineon IRF7492PBF

Name: Infineon IRF7492PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7492PBF

Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC

$ 0.87

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)	IRF7492PBF	0	665	Bulk				0.870	0.787	8h
Farnell	IRF7492PBF	0	1		1.640*	1.640*	0.894*	0.678*	0.678*	2h
Win Source	WS-IRF7492PBF	105	40				1.320	1.073	1.073	17h
Worldway Electronics	IRF7492PBF	12,841	7	Tube		0.241	0.234	0.222	0.222	16h
GreenTree Electronics	IRF7492PBF	100								1d

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IHS

Datasheet8ページ19年前

Newark

iiiC

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2002-06-27

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2013-03-12

LTD Date2013-09-12

説明

Infineon IRF7492PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 200V 3.7A 8-Pin SOIC

Verical

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package

International Rectifier

MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SO-8 Polarity: N Power dissipation: 2.5 W

Distrelec

MOSFET, 200V, 3.7A, 79 MOHM, 39 NC QG, SO-8

RS (Formerly Allied Electronics)

N-Ch 200V 3,7A 2,5W 0,079R SO8

Schukat

Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 200V, 0.079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

MOSFET, N, SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.7A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):79mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation Pd:2.5W; Transistor Case Style:SOIC; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:3.7A; Current Temperature:25°C; External Depth:5.2mm; External Length / Height:1.75mm; External Width:4.05mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:SOIC; Power Dissipation Pd:2.5W; Power Dissipation Pd:2.5W; Pulse Current Idm:30A; SMD Marking:F7492; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:2.5V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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