Infineon IRF7490TRPBF

Name: Infineon IRF7490TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7490TRPBF

Single N-Channel 100V 39 mOhm 56 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

$ 0.431

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メーカーページデータシート

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey	3	IRF7490TRPBFCT-ND	13,687	1	Cut Tape	1.460	0.918	0.608	0.432	0.396
Newark	2	IRF7490TRPBF	2,555	5	Cut Tape		0.976	0.686	0.624	0.624
Arrow Electronics	2	IRF7490TRPBF	15,700	1		1.221	0.819	0.577	0.431	0.345
Rutronik		TMOSP11959	4,000	4K						0.335	21h
Rochester Electronics		IRF7490TRPBF	9,260					0.419	0.348	0.310	13h

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iiiC

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-09-16

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

説明

Infineon IRF7490TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 100V 39 mOhm 56 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-Pin SOIC T/R

Avnet

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

Infineon SCT

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:5.4A; On Resistance, Rds(on):39mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Leaded Process Compatible:Yes RoHS Compliant: Yes

Newark

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 5.4 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 39 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 11 / Rise Time ns = 4.2 / Turn-OFF Delay Time ns = 51 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 2.5

Distrelec