Infineon IRF7465TRPBF

Name: Infineon IRF7465TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF7465TRPBF

Single N-Channel 150 V 0.28 Ohm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

$ 0.374

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics	2	IRF7465TRPBF	4,165	1		0.293	0.293	0.293	0.293	0.293
DigiKey	3	IRF7465PBFCT-ND	8,103	1	Cut Tape	1.270	0.797	0.524	0.369	0.288
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF7465TRPBF	0	20	Bulk			0.437	0.414	0.414	16h
Future Electronics	2	IRF7465TRPBF	0	4K	Tape & Reel					0.435
Farnell	2	IRF7465TRPBF	1,009	4K	Custom Reel					0.253*	10h

在庫履歴

3か月間の傾向 : -13.56%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IRF7465TRPBFのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

element14 APAC

Datasheet8ページ21年前

IHS

_legacy Avnet

iiiC

在庫履歴

3か月間の傾向:

-13.56%

CADモデル

製造元 Infineon IRF7465TRPBF のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント
Ultra Librarian	シンボルフットプリント		ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-02-08

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

説明

Infineon IRF7465TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 150 V 0.28 Ohm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 150V 1.9A 8-Pin SOIC T/R

Avnet

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package, SO8, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 1.9A I(D), 150V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N; MOSFET Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.9A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:30V; Power Dissipation Pd:2.5W

element14 APAC

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 1.9 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 150 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 280 / Gate-Source Voltage V = 30 / Fall Time ns = 9 / Rise Time ns = 1.2 / Turn-OFF Delay Time ns = 10 / Turn-ON Delay Time ns = 7 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SO-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 2.5

Distrelec