Infineon IRF6668TRPBF

Name: Infineon IRF6668TRPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF6668TRPBF

Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

$ 0.921

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRF6668TRPBF	54,312					1.110	0.921	0.821	6h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF6668TRPBF	0	4800	Bulk					3.260	20h
Farnell	2	IRF6668TRPBF	0	1	Cut Tape	3.067*	1.991*	1.372*	1.372*	1.372*	6h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.		IRF6668TRPBF	14,400	1	Tape & Reel	1.196	1.196	1.196	1.196	1.196	2d
Win Source		WS-IRF6668TRPBF	43,800	45				1.164	0.776	0.776	7h

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InfineonIRF6668TRPBF

Price @ 1000

$ 0.921

Stock

916,928

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

Drain to Source Voltage (Vdss)

80 V

Continuous Drain Current (ID)

55 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

15 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

2.8 W

Input Capacitance

1.32 nF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2005-09-07

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2008-02-27

LTD Date2008-08-01

説明

Infineon IRF6668TRPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Single N-Channel 80 V 15 mOhm 31 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®

Future Electronics

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 89W; DirectFE

Jak Electronics

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:80V; Continuous Drain Current, Id:44A; On Resistance, Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:DirectFET MZ ;RoHS Compliant: Yes

Newark

The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

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