Infineon IRF630NSTRLPBF

Name: Infineon IRF630NSTRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF630NSTRLPBF

Single N-Channel 200 V 0.3 Ohm 35 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

$ 1.63

Obsolete

メーカーページデータシート

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF630NSTRLPBF	0	16	Bulk			1.720	1.630	1.630	20h
Farnell	3	IRF630NSTRLPBF	0	1	Cut Tape	1.416*	1.077*	1.077*	1.077*	1.077*	4h
Microchip USA		IRF630NS	212	600	Tray				1.115	1.115	21h
Component Stockers USA		IRF630NSTRLPBF	3,742			0.530	0.530	0.500	0.530	0.530	2d
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.		IRF630NSTRLPBF	2,562	1	Tape & Reel	0.331	0.331	0.331	0.331	0.331	6h

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Datasheet11ページ15年前

Farnell

Newark

iiiC

Jameco

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部品

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InfineonIRF630NSTRLPBF

InfineonIRF630NSPBF

Price @ 1000

$ 1.63

$ 1.33

Stock

581,468

127,877

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

D2PAK

Drain to Source Voltage (Vdss)

200 V

Continuous Drain Current (ID)

9.3 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

300 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

82 W

Input Capacitance

575 pF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-10-09

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2023-12-31

LTD Date2024-06-30

説明

Infineon IRF630NSTRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single N-Channel 200 V 0.3 Ohm 35 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.30ohm, Id=9.3A) | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Win Source

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

IRF630NSTRLPBF,MOSFET, 200V, 9 .5A, 300 MOHM, 23.3 NC QG, D2

Jameco

HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 200V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

N CHANNEL MOSFET, 200V, 9.3A D2-PAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 200V, 9.3A D2-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.3A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):300mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V

element14 APAC

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Infineon

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 9.3 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 200 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 300 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 15 / Rise Time ns = 14 / Turn-OFF Delay Time ns = 27 / Turn-ON Delay Time ns = 7.9 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-263 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 82

Distrelec