Infineon IRF6215PBF

Name: Infineon IRF6215PBF
Brand: Infineon
SKU: IRF6215PBF

Single P-Channel 150 V 0.29 Ohm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

$ 1.27

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

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Distributor		SKU		Min	Pkg
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF6215PBF	0	1	Bulk	1.450	1.270	1.270	1.270	1.270	18h
Farnell		IRF6215PBF	0	1		1.416*	1.268*	0.881*	0.881*	0.881*	1d
Component Stockers USA		IRF6215PBF	235			99.990	99.990	99.990	99.990	99.990	15h
Win Source	2	WS-IRF6215	2,140	5			11.045	9.179	9.179	9.179	2h
Worldway Electronics	2	IRF6215	28,068	7			0.653	0.633	0.599	0.599	1h

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IHS

Datasheet9ページ22年前

Newark

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RS (Formerly Allied Electronics)

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部品

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InfineonIRF6215PBF

InfineonAUIRF6215

Price @ 1000

$ 1.27

$ 5.78

Stock

209,092

144,502

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220AB

Drain to Source Voltage (Vdss)

-150 V

Continuous Drain Current (ID)

11 A

13 A

Threshold Voltage

-4 V

-2 V

Rds On Max

290 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

83 W

110 W

Input Capacitance

860 pF

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1996-08-05

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2020-10-31

LTD Date2021-04-30

説明

Infineon IRF6215PBFの詳細は販売業者から提供されます。

Single P-Channel 150 V 0.29 Ohm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3

Future Electronics

-150 Volt -13 Amp Single P-Channel A224 HEXFET Power MOSFET TO-220AB

Jameco

MOSFET, Power; P-Channel; 0.29 Ohms @ -10 V, -6.6 A; 20 V (Max.); 62 degC/W

RS (Formerly Allied Electronics)

-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Avnet

MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: P Power dissipation: 110 W

Distrelec

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET

Infineon

MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):290mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:310mJ; Current Id Max:-13A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Ptot Max:110W; Pulse Current Idm:44A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:150V; Voltage Vds Typ:-150V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

element14 APAC