Infineon IRF540NLPBF

Name: Infineon IRF540NLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF540NLPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 44MILLIOHMS; Id 33A; TO-262; Pd 130W; Vgs +/-2

$ 1.346

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		IRF540NLPBF	22,000					0.882	0.732	0.653	2h
RS (Formerly Allied Electronics)		IRF540NLPBF	0	10	Bulk		2.170	1.960	1.960	1.960	19h
Farnell		IRF540NLPBF	0	1		1.977*	1.472*	1.418*	1.209*	1.185*	2h
Microchip USA	2	IRF540NL	243	600	Tube				3.216	3.216	2d
Verical		IRF540NLPBF	22,000	341					0.915	0.816

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Farnell

Datasheet11ページ22年前

Datasheet11ページ20年前

Newark

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部品

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InfineonIRF540NLPBF

Price @ 1000

$ 1.346

Stock

385,991

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-262-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

100 V

Continuous Drain Current (ID)

33 A

Threshold Voltage

4 V

Rds On Max

44 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

130 W

Input Capacitance

1.96 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1996-04-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRF540NLPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 44Milliohms;ID 33A;TO-262;PD 130W;VGS +/-2

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 100 V 44 mOhm 71 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262-3

Future Electronics

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA

Semicontronic

Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature

Infineon

N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, TO-262; Tra; N CHANNEL MOSFET, 100V, 33A, TO-262; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:33A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):44mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; No. of Pins:3

element14 APAC

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 33 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 44 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 35 / Rise Time ns = 35 / Turn-OFF Delay Time ns = 39 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = I2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / MSL = Level-1 / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 130

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