CADモデル
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| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
InfineonIRF1310NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.036Ohm;ID 42A;TO-220AB;PD 160W;VGS +/-20V
NXP SemiconductorsBUK7528-100A,127
Trans MOSFET N-CH 100V 47A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
InfineonIRL540NPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.044Ohm;ID 36A;TO-220AB;PD 140W;VGS +/-16V
説明
Infineon IRF5210PBFの詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -100V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID -40A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20
Single P-Channel 100 V 0.06 Ohm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220 Polarity: P Power dissipation: 200 W
Trans MOSFET P-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
P Channel Mosfet, -100V, 40A, To-220Ab; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF5210PBF.
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Current Rating-40 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance60 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Dual Supply Voltage-100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time81 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance60 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation200 W
Rds On Max60 mΩ
Recovery Time260 ns
Resistance60 mΩ
Rise Time86 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time79 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height19.8 mm
Lead Pitch2.54 mm
Length10.5156 mm
Width4.69 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント