Infineon IRF3205STRLPBF

Name: Infineon IRF3205STRLPBF
Brand: Infineon
SKU: IRF3205STRLPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 8 Milliohms; ID 110A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-20V

$ 0.745

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	IRF3205STRLPBF	1,567	1	Cut Tape	2.620	1.760	1.280	1.280	1.280
Arrow Electronics		IRF3205STRLPBF	2,885	1		0.487	0.487	0.487	0.487	0.487
Future Electronics	2	IRF3205STRLPBF	48,000	800	Tape & Reel				0.730	0.710
Rutronik		TMOSP11750	800	800					0.586	0.469	7h
Rochester Electronics		IRF3205STRLPBF	370					0.915	0.760	0.677	1d

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Newark

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IHS

Burklin Elektronik

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-03-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IRF3205STRLPBFの詳細は販売業者から提供されます。

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V

RS (Formerly Allied Electronics)

Single N-Channel 55V 8 mOhm 146 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Future Electronics

55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

Infineon SCT

Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.

Infineon

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:200W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF3205STRLPBF.

Newark