Infineon IPW65R190CFDFKSA1

Name: Infineon IPW65R190CFDFKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPW65R190CFDFKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

$ 1.769

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IPW65R190CFDFKSA1	240					2.000	1.790	1.690	11h
Arrow Electronics	IPW65R190CFDFKSA1	148	1		1.872	1.795	1.747	1.747	1.747
Avnet	IPW65R190CFDFKSA1	0	240							1d
Farnell	IPW65R190CFDFKSA1	0	1		3.270*	3.270*	2.503*	1.709*	1.709*	10h
Worldway Electronics	IPW65R190CFDFKSA1	7,342	7	Tube		1.875	1.839	1.769	1.733	11h

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部品

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InfineonIPW65R190CFDFKSA1

InfineonIPW65R190CFDAFKSA1

Price @ 1000

$ 1.769

$ 1.94

Stock

14,877

32,945

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-247

Drain to Source Voltage (Vdss)

650 V

Continuous Drain Current (ID)

17.5 A

Threshold Voltage

Rds On Max

190 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

30 V

Power Dissipation

151 W

Input Capacitance

1.85 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2011-05-11

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

LTB Date2023-02-17

LTD Date2023-02-17

説明

Infineon IPW65R190CFDFKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 650V 17.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

Mosfet Transistor, N Channel, 17.5 A, 700 V, 0.445 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes |Infineon IPW65R190CFDFKSA1

Newark

Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7, PG-TO247-3, RoHS

Infineon SCT

MOSFET N-Ch 650V 17.5A CoolMOS TO247

RS APAC

Infineon NMOS CoolMOS CFD, Vds=650 V, 17.5 A, TO-247, , 3

Unikeyic (ICkey)

Compliant 6.4 ns 8.4 ns No SVHC 190 mΩ TO-247-3 3

Augswan

MOSFET, N CH, 700V, 17.5A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17.5A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.445ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V

Farnell

Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.

Infineon