CADモデル
製造元 Infineon IPW65R190CFDFKSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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代替部品
Price @ 1000
$ 1.2
$ 1.94
Stock
26,081
35,610
Authorized Distributors
3
1
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
17.5 A
17.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
190 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
30 V
Power Dissipation
151 W
151 W
Input Capacitance
-
1.85 nF
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2023-02-17
LTD Date2023-02-17
説明
Infineon IPW65R190CFDFKSA1の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247
Infineon NChannel EnhancedMOSTube CoolMOS CFDseries, Vds=650 V, 17.5 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
MOSFET, N CH, 700V, 17.5A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17.5A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.445ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17.5 A
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation151 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance190 mΩ
Package Quantity240
Power Dissipation151 W
Schedule B8541290080