CADモデル
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代替部品
Price @ 1000
$ 2.09
$ 2.299
Stock
811,783
115,025
Authorized Distributors
1
6
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vds)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
22.4 A
22.4 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
150 mΩ
150 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
30 V
Power Dissipation
195.3 W
195.3 W
Input Capacitance
2.34 nF
2.34 nF
サプライチェーン
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-16
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 9 months ago)
関連部品
InfineonIPW65R125C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 18A TO247-3 / N-Channel 650 V 18A (Tc) 101W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
STMicroelectronicsSTW33N60M2
N-channel 600 V, 0.108 Ohm typ., 26 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
InfineonIPW60R160P6FKSA1
MOSFET N-CH 600V 23.8A TO247-3 N-Channel 600 V 23.8A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
STMicroelectronicsSTW32NM50N
N-channel 500 V, 0.1 Ohm typ., 22 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW28N60M2
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power MOSFETs in TO-247 package
InfineonSPW20N60S5FKSA1
MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3 N-Channel 600 V 20A (Tc) 208W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
説明
Infineon IPW65R150CFDFKSA1の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO247-3 N-Channel 650 V 22.4A (Tc) 195.3W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
195.3W(Tc) 20V 4.5V@ 900µA 86nC@ 10 V 1individualNChannel 650V 150mΩ@ 9.3A,10V 22.4A 2.34nF@100V TO-247 Through hole mounting 16.13mm*5.21mm*21.1mm
Mosfet, N-Ch, 650V, 22.4A, To-247-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22.4A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.135Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPW65R150CFDFKSA1
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)22.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage700 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)650 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.34 nF
Max Dual Supply Voltage650 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation195.3 W
Min Breakdown Voltage650 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance150 mΩ
Package Quantity240
PackagingRail/Tube
Power Dissipation195.3 W
Rds On Max150 mΩ
Rise Time7.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time52.8 ns
Turn-On Delay Time12.4 ns