Infineon IPP90R800C3XKSA2

Name: Infineon IPP90R800C3XKSA2
Brand: Infineon
SKU: IPP90R800C3XKSA2

Power Transistor MOSFET N-Channel Enhancement 900V 6.9A 3-Pin TO-220

$ 0.944

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IPP90R800C3XKSA2	850	1		1.222	0.972	0.936	0.848	0.848
Rochester Electronics	2	IPP90R800C3XKSA1	31,900					1.230	1.020	0.910	15h
DigiKey		448-IPP90R800C3XKSA2-ND	441	1	Tube	2.990	2.990	1.330	0.990	0.831
Avnet		IPP90R800C3XKSA2	0	500					0.926	0.798	17h
Future Electronics	2	IPP90R800C3XKSA2	0	50	Tube			1.010	0.955	0.910

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サプライチェーン

Country of OriginGermany, Mainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-07-30

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)

LTB Date2020-12-31

LTD Date2021-06-30

説明

Infineon IPP90R800C3XKSA2の詳細は販売業者から提供されます。

Power Transistor MOSFET N-Channel Enhancement 900V 6.9A 3-Pin TO-220

EBV Elektronik

N-Channel 900 V 6.9 A 104 W 800 mOhm Through Hole Mosfet - PG-TO220-3

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 900V 6.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 900V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Mosfet, N-Ch, 900V, 6.9A, To-220; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:900V; Continuous Drain Current Id:6.9A; On Resistance Rds(On):0.62Ohm; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V Rohs Compliant: Yes |Infineon IPP90R800C3XKSA1

Newark

900V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting

Infineon

MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:104W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; MSL:MSL 3 - 168 hours; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:6.9A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:104W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:900V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC