Infineon IPP65R150CFDAAKSA1

Name: Infineon IPP65R150CFDAAKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP65R150CFDAAKSA1

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

$ 2.3

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	IPP65R150CFDAAKSA1	105					1.890	1.690	1.590	2h
DigiKey	IPP65R150CFDAAKSA1-ND	257	1	Tube	5.120	5.120	2.430	2.430	2.430
Newark	IPP65R150CFDAAKSA1	0	1		5.820	3.440	3.210	3.200	3.200
Avnet	IPP65R150CFDAAKSA1	0	500							5h
Farnell	IPP65R150CFDAAKSA1	0	1		5.713*	2.972*	2.713*	2.495*	2.495*	2h

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2012-09-10

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 week ago)

LTB Date2025-09-30

LTD Date2026-03-31

説明

Infineon IPP65R150CFDAAKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 650V 22.4A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

Verical

22.4 A 650 V 0.15 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB

Component Stockers USA

IPP Series 650 V 150 mOhm 86 nC Through Hole Power Transistor - TO-220-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 22.4A I(D), 650V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

650V CoolMOS™ CFDA Superjunction (SJ) MOSFET is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS™ power MOSFETs, PG-TO220-3, RoHS

Infineon SCT

Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 650V, To-220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22.4A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.135Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPP65R150CFDAAKSA1

Newark

650V CoolMOS CFDA is Infineon's second generation of market leading automotive qualified high voltage CoolMOS MOSFET. In addition to the well-known attributes of high quality and reliability required by the automotive industry, the new CoolMOS CFDA series provides now also an integrated fast body diode. | Summary of Features: First 650V automotive qualified technology with integrated fast body diode on the market; Limited voltage overshoot during hard commutation self limiting di/dt and dv/dt; Low gate charge value Q g; Low Q rr at repetitive commutation on body diode & lowQ oss; Reduced turn on and turn of delay times; Compliant to AEC Q101 standard | Benefits: Increased safety margin due to higher breakdown voltage; Reduced EMI appearance and easy to design in; Better light load efficiency; Lower switching losses; Higher switching frequency and/or higher duty cycle possible; High quality and reliability | Target Applications: Unidirectional and bidirectional DC-DC converter; Battery charger; HID lighting

Infineon