CADモデル
製造元 Infineon IPP60R125CPXKSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | シンボルフットプリント |
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サプライチェーン
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-08-30
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 weeks ago)
関連部品
InfineonIPP60R099CPXKSA1
255W(Tc) 20V 3.5V@1.2mA 80nC@ 10 V 1N 600V 99m¦¸@ 18A,10V 31A 2.8nF@100V TO-220,TO-220-3 9.45mm
InfineonIPP60R099CPAAKSA1
MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3 / N-Channel 600 V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
STMicroelectronicsSTP34NM60N
N-channel 600 V, 0.092 Ohm typ., 31.5 A MDmesh II Power MOSFET in TO-220 package
STMicroelectronicsSTP34NM60ND
N-channel 600 V, 0.097 Ohm, 29 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) TO-220
STMicroelectronicsSTP38N65M5
N-channel 650 V, 0.073 Ohm typ., 30 A MDmesh m5 Power MOSFET in TO-220 package
説明
Infineon IPP60R125CPXKSA1の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
208W 20V 53nC@ 10V 1N 600V 125m¦¸@ 10V 25A 2.5nF@ 100V TO-220 10mm*4.4mm*9.25mm
25 A 600 V 0.125 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
CoolMOS™ CP, Infineon's fifth series of CoolMOS™, is designed for hard and soft switching topologies, CCM PFC as well as PWM for ATX, notebook adapter PDP and LCD TV.
MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:650V; Current, Id Cont:25A; On State Resistance:0.125ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-220; ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(on):125mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:208W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:25A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:208W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:650V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-220
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Current Rating25 A
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.5 nF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation208 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance125 mΩ
Package Quantity500
Power Dissipation208 W
Rds On Max125 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)600 V
コンプライアンス
環境分類
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
準拠ステートメント