Infineon IPP045N10N3GXKSA1

Name: Infineon IPP045N10N3GXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP045N10N3GXKSA1

100V 100A 4.5m´Î@10V100A 214W 3.5V@150Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	85X6038	145	1		3.120	1.640	1.480	1.220	1.220	13h
Newark		IPP045N10N3GXKSA1	454	1		1.180	1.180	1.180	1.180	1.180
Future Electronics	2	IPP045N10N3GXKSA1	700	50	Tube			1.810	1.760	1.720
Arrow Electronics	3	IPP045N10N3GXKSA1	7,740	1		2.500	1.618	1.468	1.055	1.055
Rutronik		TMOS1304	1,750	50				1.270	1.013	1.013	18h

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サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-02-17

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IPP045N10N3GXKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

100V 100A 4.5m´Î@10V100A 214W 3.5V@150Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS

Dasenic

100 A 100 V 0.0045 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB

Component Stockers USA

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 100V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).

Infineon

Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:100A; On Resistance Rds(On):0.0039Ohm; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V Rohs Compliant: Yes

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 137 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 4.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 14 / Rise Time ns = 59 / Turn-OFF Delay Time ns = 48 / Turn-ON Delay Time ns = 27 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-220 / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Power Dissipation (Pd) W = 214

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