Infineon IPP028N08N3GXKSA1

Name: Infineon IPP028N08N3GXKSA1
Brand: Infineon
SKU: IPP028N08N3GXKSA1

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220

$ 2.034

Production

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		IPP028N08N3GXKSA1	2,016	1		2.307	2.307	2.307	2.307	2.307
Rochester Electronics		IPP028N08N3GXKSA1	2,500					1.910	1.710	1.610	9h
Newark		IPP028N08N3GXKSA1	0	1		7.770	7.060	4.940	3.970	3.970
Future Electronics	2	IPP028N08N3GXKSA1	0	500	Tube				1.860	1.830
Avnet		IPP028N08N3GXKSA1	0	500					1.677	1.601	1d

在庫履歴

3か月間の傾向 : -42.25%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

1点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon IPP028N08N3GXKSA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

IHS

Datasheet10ページ15年前

Infineon

Farnell

iiiC

在庫履歴

3か月間の傾向:

-42.25%

CADモデル

製造元 Infineon IPP028N08N3GXKSA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
EE Concierge	シンボルフットプリント
SnapEDA	フットプリント	3D	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

代替部品

部品

代替部品

InfineonIPP028N08N3GXKSA1

InfineonIPP028N08N3GHKSA1

Price @ 1000

$ 2.034

$ 1.64

Stock

161,888

391

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220

TO-220-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

80 V

Continuous Drain Current (ID)

100 A

Threshold Voltage

Rds On Max

2.8 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

300 W

Input Capacitance

10.7 nF

サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-01-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IPP028N08N3GXKSA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Verical

300W 20V 155nC@ 10V 1N 80V 2.8m¦¸@ 10V 100A 10.7nF@ 40V TO-220 10mm*4.4mm*15.65mm

UnikeyIC

100 A 80 V 0.0028 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB

Component Stockers USA

OptiMOS™ is the market leader in highly efficient solutions for power generation (e.g. solar micro inverter), power supply (e.g. server and telecom) and power consumption (e.g. electric vehicle).

Infineon

Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 80V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

Semicontronic

MOSFET, N CH, 100A, 80V, PG-TO220-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):2.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.8V; Power Dissipation Pd:300W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:300W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC