Infineon IPD90N03S4L02ATMA1

Name: Infineon IPD90N03S4L02ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD90N03S4L02ATMA1

30V, N-Ch, 2.2 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IPD90N03S4L02ATMA1	7,500	2500						0.635	2d
Newark	2	IPD90N03S4L02ATMA1	45	1	Cut Tape	2.490	1.600	1.100	1.100	1.100
Arrow Electronics	2	IPD90N03S4L02ATMA1	4,999	1		0.940	0.940	0.940	0.940	0.940
Future Electronics	2	IPD90N03S4L02ATMA1	40,000	2500	Tape & Reel					0.700
Rochester Electronics		IPD90N03S4L02ATMA1	5,769					0.926	0.768	0.685	22h

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サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-03-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPD90N03S4L02ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

30V, N-Ch, 2.2 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 30V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK

Verical

Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

MOSFET, N CH, 30V, 90A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0018ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.5V; P

element14 APAC

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Package (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; Robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching (3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control).; Body applications

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