onsemi FDD6690A

Name: onsemi FDD6690A
Brand: onsemi
SKU: FDD6690A

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 46A, 12mΩ

EOL

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
element14 APAC		FDD6690A	0	1	Cut Tape	1.153*	0.909*	0.769*	0.562*	0.536*	15h
Farnell	2	FDD6690A	0	1	Cut Tape	1.331*	1.030*	0.741*	0.512*	0.481*	1d
Component Stockers USA		FDD6690A	31,174			1.050	0.860	0.670	0.460	0.390	16h
Weyland Electronics Group Pte. Ltd.		FDD6690A	1,707	1	Tape & Reel	1.277	1.277	1.277	1.277	1.277	4h
Win Source		WS-FDD6690A	7,170	85				0.693	0.462	0.462	2h

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

onsemi FDD6690Aのデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Upverter

Technical Drawing1ページ3年前

IHS

element14 APAC

Future Electronics

onsemi

CADモデル

製造元 onsemi FDD6690A のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
SnapEDA	フットプリント	3D	ダウンロード

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1999-09-03

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2024-01-03

LTD Date2024-07-03

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

説明

onsemi FDD6690Aの詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 30V, 46A, 12mΩ

onsemi

Trans MOSFET N-CH 30V 12A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET N-CH 30V 12A DPAK

Win Source

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

IHS

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:46A; On Resistance, Rds(on):12mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-252 ;RoHS Compliant: Yes

Newark

This N-Channel Logic level MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.

Fairchild Semiconductor

MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:46A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):12.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Case Style:D-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:D-PAK; Current Id Max:46A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Package / Case:DPAK; Power Dissipation Pd:50W; Power Dissipation Pd:50W; Pulse Current Idm:100A; SMD Marking:FDD6690A; Termination Type:SMD; Voltage Vds:30V; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1.9V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC