Infineon IPD80N04S306ATMA1

Name: Infineon IPD80N04S306ATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPD80N04S306ATMA1

40V, N-Ch, 5.2 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS

$ 1.803

NRND

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Distributor		SKU		Min
Rochester Electronics		IPD80N04S306ATMA1	52,238			1.080	0.896	0.799	6h
Avnet		IPD80N04S306ATMA1	0	2500				0.825	8h
Verical	2	IPD80N04S306ATMA1	1,572	278			1.121	0.999
Win Source	2	WS-IPD80N04S3-06	88,888	80		0.747	0.498	0.498	7h
Worldway Electronics	2	IPD80N04S3-06	19,086	7	0.140	0.136	0.128	0.128	1d

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部品

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InfineonIPD80N04S306ATMA1

Diodes Inc.DMTH4005SK3Q-13

Price @ 1000

$ 1.803

$ 0.44

Stock

430,168

222,152

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

TO-252-3

TO-252-5

Drain to Source Voltage (Vdss)

40 V

Continuous Drain Current (ID)

90 A

95 A

Threshold Voltage

Rds On Max

5.2 mΩ

4.5 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

Power Dissipation

100 W

Input Capacitance

3.25 nF

3.062 nF

サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-02-20

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 week ago)

説明

Infineon IPD80N04S306ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

40V, N-Ch, 5.2 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

Trans MOSFET N-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252

Verical

Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 40V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Package (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: Low switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; Robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: OptiMOS-T 40V addresses to small loads control switching (3-phase and H-bridge motors, electric pumps, etc. especially in combination with PWM control).; Body applications

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