Infineon IPD26N06S2L35ATMA2

Name: Infineon IPD26N06S2L35ATMA2
Brand: Infineon
SKU: IPD26N06S2L35ATMA2

N-Channel 55 V 35 mOhm OptiMOS® Power-Transistor - PG-TO252-3-11

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		IPD26N06S2L35ATMA2	2,500	2500						0.274	1d
Newark	2	IPD26N06S2L35ATMA2	5,441	5	Cut Tape		1.040	0.739	0.674	0.674
Arrow Electronics	3	IPD26N06S2L35ATMA2	2,480	1		0.844	0.844	0.844	0.844	0.844
Rutronik		TMOSP11625	5,000	2500						0.323	17h
Rochester Electronics		IPD26N06S2L35ATMA2	37,995					0.452	0.375	0.334	10h

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サプライチェーン

Country of OriginMalaysia, Mexico

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-07-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-08-30

LTD Date2024-08-30

説明

Infineon IPD26N06S2L35ATMA2の詳細は販売業者から提供されます。

N-Channel 55 V 35 mOhm OptiMOS® Power-Transistor - PG-TO252-3-11

Future Electronics

55V, N-Ch, 35 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

OPTIMOS POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 55V, 0.047ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 55V, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:30A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.6V;

element14 APAC

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors

Infineon