Infineon IPD14N06S280ATMA2

Name: Infineon IPD14N06S280ATMA2
Brand: Infineon
SKU: IPD14N06S280ATMA2

Mosfet Transistor, N Channel, 17 A, 55 V, 0.05 Ohm, 10 V, 3 V

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPD14N06S280ATMA2	2,164	1	Cut Tape	0.917	0.638	0.503	0.358	0.358
Arrow Electronics		IPD14N06S280ATMA2	2,468	1		0.312	0.312	0.312	0.312	0.312
DigiKey	3	448-IPD14N06S280ATMA2CT-ND	3,199	1	Cut Tape	1.280	0.803	0.528	0.372	0.372
Rochester Electronics		IPD14N06S280ATMA2	38,750								2h
Avnet		IPD14N06S280ATMA2	0	2500						0.247	1d

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EE Concierge	シンボルフットプリント

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サプライチェーン

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2006-07-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPD14N06S280ATMA2の詳細は販売業者から提供されます。

Mosfet Transistor, N Channel, 17 A, 55 V, 0.05 Ohm, 10 V, 3 V

Newark

55V, N-Ch, 80 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS

Infineon SCT

OPTIMOS POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 55V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N-CH, 55V, 17A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power

Farnell

Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors

Infineon