CADモデル
製造元 Infineon IPB100N06S2L05ATMA2 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
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 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
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サプライチェーン
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-03-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
関連部品
InfineonIPB120N04S404ATMA1
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK / N-Channel 40 V 120A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
InfineonAUIRFS3306TRL
Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
InfineonIPB80N06S2LH5ATMA4
55V, N-Ch, 4.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
VishaySUM90N04-3M3P-E3
Single N-Channel 40 V 0.0033 O 87 nC Surface Mount Power Mosfet - TO-263 (D2PAK)
Diodes Inc.DMTH6004SCTB-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, To-263Ab Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6004SCTB-13
InfineonIPB80N06S2H5ATMA2
Power MOSFET, N Channel, 55 V, 80 A, 0.0052 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
InfineonIPB80N06S2LH5ATMA4
55V, N-Ch, 4.7 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
VishaySQM120N06-3M5L_GE3
VISHAY SQM120N06-3M5L-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 60 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2 V
説明
Infineon IPB100N06S2L05ATMA2の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 55V 100A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
55V, N-Ch, 4.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance5.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance5.66 nF
Max Dual Supply Voltage55 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation300 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.4 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation300 W
Rds On Max4.4 mΩ
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time98 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height4.57 mm
Length10.31 mm
Width9.45 mm