Infineon IPB026N06NATMA1

Name: Infineon IPB026N06NATMA1
Brand: Infineon
SKU: IPB026N06NATMA1

3W 20V 2.8V(Typ) 56nC@ 10V 1N 60V 2.6m¦¸@ 10V 4.1nF@ 30V D2PAK , 10mm*9.25mm*4.5mm

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPB026N06NATMA1	646	1	Cut Tape	3.500	2.400	1.780	1.550	1.550
Arrow Electronics	2	IPB026N06NATMA1	930	1		2.627	2.627	2.627	2.627	2.627
Rutronik		TMOS3670	4,000	1K					0.990	0.792	22h
Rochester Electronics		IPB026N06NATMA1	6,543					1.330	1.100	0.984	15h
DigiKey	2	IPB026N06NATMA1CT-ND	976	1	Cut Tape	3.360	2.185	1.514	1.228	1.228

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サプライチェーン

Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2012-06-11

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPB026N06NATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

3W 20V 2.8V(Typ) 56nC@ 10V 1N 60V 2.6m¦¸@ 10V 4.1nF@ 30V D2PAK , 10mm*9.25mm*4.5mm

Unikeyic (ICkey)

OPTIMOS POWER-TRANSISTOR Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 60V, 0.0026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

ComSIT Distribution GmbH

OptiMOS™ 5 60V is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.

Infineon

MOSFET, N-CH, 60V, 100A, TO-263-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 60V; On Resistance Rds(on): 0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.8V;

Farnell