価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IPB017N08N5ATMA1 | 100 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | IPB017N08N5ATMA1CT-ND | 2,357 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | IPB017N08N5ATMA1 | 0 | 1K | 7h | ||||||||
| Future Electronics | IPB017N08N5ATMA1 | 0 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | IPB017N08N5ATMA1 | 0 | 1K |
CADモデル
製造元 Infineon IPB017N08N5ATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | シンボルフットプリント | ダウンロード | |
 EE Concierge | シンボルフットプリント | ||
 SnapEDA | フットプリント | 3D | ダウンロード |
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。
サプライチェーン
Country of OriginAustria, Germany, Malaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-05-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
関連部品
onsemiFDB86360-F085
FDB86360 Series 80 V 110 A 1.8 mOhm N-Ch Power Trench Mosfet - D²PAK (TO-263AB)
InfineonIPB020N10N5ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 176 A, 2 mOhm, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
STMicroelectronicsSTH140N8F7-2
N-channel 80 V, 3.3 mOhm typ., 90 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
説明
Infineon IPB017N08N5ATMA1の詳細は販売業者から提供されます。
Trans MOSFET N-CH 80V 177A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Industry leading power MOSFET technology for telecom and server applications with OptiMOS™ 5 80V in D2PAK package, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 80V, 0.0021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
MOSFET, N-CH, 80V, 120A, TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 120A; Drain Source Voltage Vds: 80V; On Resistance Rds(on): 0.0015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Power Dissipation Pd: 375W; Transistor Case Style: TO-263; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: OptiMOS 5 Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MOSFET IPB017N08N5 offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage80 V
Drain to Source Resistance2.1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)80 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance13 nF
Max Dual Supply Voltage80 V
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation375 W
Min Breakdown Voltage80 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.7 mΩ
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation375 W
Rds On Max1.7 mΩ
Rise Time36 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time102 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height4.7 mm
コンプライアンス
環境分類
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
準拠ステートメント