Infineon IPA80R1K4CEXKSA2

Name: Infineon IPA80R1K4CEXKSA2
Brand: Infineon
SKU: IPA80R1K4CEXKSA2

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

$ 0.572

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IPA80R1K4CEXKSA2	115	1		2.120	1.330	1.090	0.807	0.807
Rochester Electronics		IPA80R1K4CEXKSA2	2,079					0.689	0.572	0.510	19h
DigiKey		IPA80R1K4CEXKSA2-ND	3	1	Tube	2.090	2.090	0.897	0.652	0.514
Avnet		IPA80R1K4CEXKSA2	0	1K					0.474	0.462	2d
Future Electronics	2	IPA80R1K4CEXKSA2	0	500	Tube				0.545	0.515

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部品

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InfineonIPA80R1K4CEXKSA2

Rochester ElectronicsIPA80R1K4CEXKSA1

Price @ 1000

$ 0.572

$ 0.515

Stock

173,731

32,613

Authorized Distributors

Mount

Through Hole

Case/Package

TO-220-3

Drain to Source Voltage (Vdss)

800 V

Continuous Drain Current (ID)

3.9 A

Threshold Voltage

Rds On Max

1.4 Ω

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

31 W

Input Capacitance

570 pF

サプライチェーン

Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-09-25

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

説明

Infineon IPA80R1K4CEXKSA2の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Verical

Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

Mosfet, N-Ch, 800V, 3.9A, To-220Fp-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.9A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(On):1.22Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPA80R1K4CEXKSA2

Newark

800V CoolMOS CE is Infineons high performance device family offering 800 volts break down voltage. The CE targets consumer electronics applications as well as Lighting. The new 800V selection series specifically aims at LED applications. With this specific CoolMOS family, Infineon combines long experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R DS(on)*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @ 400V; Low gate charge (Q g); Field-proven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding price/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: LED lighting

Infineon