Infineon IKB15N60TATMA1

Name: Infineon IKB15N60TATMA1
Brand: Infineon
SKU: IKB15N60TATMA1

IKB15N60T Series 600 V 30 A Surface Mount TrenchStop® IGBT - PG-TO-263-3

$ 1.017

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IKB15N60TATMA1	1,285	1	Cut Tape	2.930	1.900	1.300	1.070	1.070
Arrow Electronics		IKB15N60TATMA1	995	1		1.035	1.035	1.035	1.035	1.035
DigiKey	3	448-IKB15N60TATMA1CT-ND	1,640	1	Cut Tape	3.010	1.947	1.341	1.082	1.082
Future Electronics		IKB15N60TATMA1	0	1K	Tape & Reel				1.240	1.220
Avnet		IKB15N60TATMA1	0	1K					0.971	0.871	4d

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サプライチェーン

Country of OriginGermany, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2004-12-14

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

説明

Infineon IKB15N60TATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

IKB15N60T Series 600 V 30 A Surface Mount TrenchStop® IGBT - PG-TO-263-3

Future Electronics

IGBT, 26 A, 1.5 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins

EBV Elektronik

IGBT+ DIODE,600V,15A,TO263; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:130W

element14 APAC

Hard-switching 600 V, 15 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

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