Infineon BSZ100N03LSGATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
$ 0.177
Obsolete

価格と在庫

データシート & ドキュメント

Infineon BSZ100N03LSGATMA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet9ページ15年前

Farnell

在庫履歴

3か月間の傾向:
-15.08%

CADモデル

製造元 Infineon BSZ100N03LSGATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソースeCADmCADファイル
EE Concierge
シンボルフットプリント
CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。
OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約プライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-07-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31

関連部品

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R
InfineonBSC100N03LSG
Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP
Single N-Channel 30 V 9 mOhm 15 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
onsemiFDS6680A
N-Channel PowerTrench® MOSFET, Logic Level, 30V, 12.5A, 9.5mΩ
onsemiFDS6670AS
N-Channel 30 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
onsemiFDS8876
N-Channel 30 V 8.2 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8

説明

Infineon BSZ100N03LSGATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 36A; 30W; PG-TSDSON-8
Trans MOSFET N-CH 30V 12A Automotive 8-Pin TSDSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 44A I(D), 30V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon NMOS OptiMOS 3, Vds=30 V, 40 A, TSDSON, , 8
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):8.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:30W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:30W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

メーカーの別名

Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

部品番号の別名

こちらの部品は、以下の代替部品番号で知られている場合があります:

  • BSZ100N03LS G
  • BSZ100N03LSG
  • BSZ100N03LSGATMA1.
  • SP000304135