Infineon BSC090N03LSGATMA1

Name: Infineon BSC090N03LSGATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSC090N03LSGATMA1

Trans Mosfet N-ch 30V 13A 8-PIN Tdson Ep T/r

$ 0.239

Obsolete

メーカーページデータシート

価格と在庫

正規販売業者

非正規の在庫販売業者

非正規ディーラー

すべての値下げ情報を見る

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		BSC090N03LSGATMA1	1,476	1		0.446	0.441	0.373	0.325	0.325
Arrow Electronics	2	BSC090N03LSGATMA1	7,559	1		0.856	0.856	0.856	0.856	0.856
Rochester Electronics		BSC090N03LSGATMA1	18,303					0.257	0.214	0.191	22h
DigiKey	2	BSC090N03LSGATMA1CT-ND	4,999	1	Cut Tape	1.030	0.641	0.417	0.290	0.264
Avnet		BSC090N03LSGATMA1	0	5K							2d

在庫履歴

3か月間の傾向 : -11.57%

CADモデル

シンボル、フットプリント、3D STEPをダウンロード

代替部品

0点の部品が利用可能

データシート & ドキュメント

Infineon BSC090N03LSGATMA1のデータシートとメーカー資料をダウンロードする。

Newark

Datasheet10ページ12年前

_legacy Avnet

iiiC

Farnell

在庫履歴

3か月間の傾向:

-11.57%

CADモデル

製造元 Infineon BSC090N03LSGATMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする

ソース	eCAD	mCAD	ファイル
Component Search Engine	シンボルフットプリント	3D	ダウンロード
EE Concierge	シンボルフットプリント

CADモデルをダウンロードする際に、パートナーサイトが新しいタブで開きます。

OctopartからCADモデルをダウンロードすることにより、お客様は弊社の利用規約とプライバシーポリシーに同意したものとみなされます。

サプライチェーン

Country of OriginMainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-03-05

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)

LTB Date2026-03-31

LTD Date2026-09-30

説明

Infineon BSC090N03LSGATMA1の詳細は販売業者から提供されます。

Trans MOSFET N-CH 30V 13A 8-Pin TDSON EP T/R

Verical

Transistor Polarity:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:48A; On Resistance Rds(On):0.0075Ohm; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-; Product Range:- Rohs Compliant: Yes

Newark

Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)

Infineon

MOSFET, N CH, 48A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:48A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):7.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:32W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:48A; Power Dissipation Pd:32W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V

element14 APAC