価格と在庫
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | BSP296NH6433XTMA1 | 3,985 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 448-BSP296NH6433XTMA1CT-ND | 11,772 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BSP296NH6433XTMA1 | 0 | 4K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | BSP296NH6433XTMA1 | 0 | 4K | 8h | ||||||||
| Farnell | BSP296NH6433XTMA1 | 3,656 | 1 | Cut Tape | 6h |
CADモデル
製造元 Infineon BSP296NH6433XTMA1 のシンボル、フットプリント、3D STEPモデルを信頼できるパートナーからダウンロードする
| ソース | eCAD | mCAD | ファイル |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | フットプリント | ダウンロード |
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代替部品
Price @ 1000
$ 0.332
$ 0.244
$ 0.244
Stock
259,660
1,335,390
1,335,390
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-261-4
SOT-223
SOT-223
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
100 V
100 V
Continuous Drain Current (ID)
1.2 A
1.2 A
1.2 A
Threshold Voltage
-
1.4 V
1.4 V
Rds On Max
600 mΩ
600 mΩ
600 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
1.8 W
1.8 W
1.8 W
Input Capacitance
152.7 pF
114.8 pF
114.8 pF
サプライチェーン
Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-04-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
関連部品
NXP SemiconductorsPMT200EN,115
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
NXP SemiconductorsPMT760EN,135
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
説明
Infineon BSP296NH6433XTMA1の詳細は販売業者から提供されます。
MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4 / N-Channel 100 V 1.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Trans MOSFET N-CH 100V 1.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP296 Series 100V 1.2A 1.8W 600mOhm Single N-Channel MOSFET SOT223-4
Mosfet, N-Ch, 100V, 1.2A, Sot-223 Rohs Compliant: Yes |Infineon BSP296NH6433XTMA1
メーカーの別名
Infineonは世界中でいくつかのブランドを持っており、販売業者が代替名として使用するかもしれません。 Infineon は以下の名前でも知られているかもしれません：
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
技術仕様
Physical
Case/PackageTO-261-4
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight250.212891 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance152.7 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Manufacturer Package IdentifierPG-SOT223-4
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max600 mΩ
Rise Time3.8 ns
Turn-Off Delay Time18.4 ns
Turn-On Delay Time3.5 ns
Dimensions
Height1.8 mm